RQ3E130MNTB1 دیتاشیت

RQ3E130MNTB1

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت RQ3E130MNTB1
حجم فایل 76.527 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت RQ3E130MNTB1-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: ROHM Semicon RQ3E130MNTB1
  • Power Dissipation (Pd): 2W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 14nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 840pF@15V
  • Continuous Drain Current (Id): 13A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@1mA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 8.1mΩ@10V,13A
  • Package: HSMT8
  • Manufacturer: ROHM Semicon

محصولات مشابه