RQ3E130MNTB1 دیتاشیت

RQ3E130MNTB1

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت RQ3E130MNTB1
حجم فایل 76.527 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت RQ3E130MNTB1

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: ROHM Semicon RQ3E130MNTB1
  • Power Dissipation (Pd): 2W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 14nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 840pF@15V
  • Continuous Drain Current (Id): 13A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.5V@1mA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 8.1mΩ@10V,13A
  • Package: HSMT8
  • Manufacturer: ROHM Semicon

محصولات مشابه